p>Компания SK Hynix с опозданием на месяц опубликовала каталог продукции на второй квартал 2017 года, обозначив планы по выпуску микросхем памяти типа GDDR6 и раскрыв их общие технические характеристики и сроки доступности. Кроме того, компания добавила в каталог более производительные чипы GDDR5 со скоростями передачи данных до 10 Гтрансферов/с, однако убрала из списка готовящихся продуктов наиболее быстрые интегральные схемы типа HBM2.

SK Hynix официально объявила о планах по выпуску памяти GDDR6 в конце апреля, поэтому добавление соответствующих микросхем в базу данных компании не стало неожиданностью. Первые устройства GDDR6 производства SK Hynix будут иметь ёмкость 8 Гбит (1 Гбайт), напряжение питания 1,35 В и поддерживать скорости передачи данных 12 и 14 Гтрансферов/с. Производитель обещает, что они будут доступны для клиентов ориентировочно в четвёртом квартале 2017 года. Новые микросхемы памяти будут иметь двухканальную организацию 256M × 32, что может указывать на то, что чипы GDDR6 будут продолжать использовать 32-разрядный физический интерфейс, но последний будет работать как два независимых 16-разрядных интерфейса, что увеличит эффективность использование шины (впрочем, на данном этапе это слухи). Что касается физического форм-фактора, то устройства GDDR6 будут использовать 180-контактную упаковку типа FCBGA, а потому не будут поконтактно совместимыми с приложениями, использующими GDDR5 и GDDR5X, которые используют корпуса с 170 и 190 контактами соответственно.

Спецификации выходящих вскоре микросхем SK Hynix типа GDDR5 и GDDR6
Артикул	Тип	Ёмкость	Скорость передачи данных	Пропускная способность микросхемы	Напряжение питания	Упаковка	Время доступности
H56C8H24MJR-S2C	GDDR6	8 Гбит	14 Гтрансферов/с	56 Гбайт/с	1,35 В	180-контактов, FBGA	Q4 2017
H56C8H24MJR-S0C			12 Гтрансферов/с	48 Гбайт/с
H5GQ8H24AJR-R8C	GDDR5		10 Гтрансферов/с	40 Гбайт/с	1,55 В	170-контактов, FBGA
H5GQ8H24AJR-R6C			9 Гтрансферов/с	36 Гбайт/с
H5GC8H24AJR-R2C			8 Гтрансферов/с	32 Гбайт/с	1,5 В
			7 Гтрансферов/с	28 Гбайт/с	1,35 В
H5GC8H24AJR-R0C			7 Гтрансферов/с	28 Гбайт/с	1,5 В
			6 Гтрансферов/с	24 Гбайт/с	1,35 В

В ближайшие месяцы JEDEC должна завершить разработку и опубликовать финальные спецификации GDDR6, именно тогда мы узнаем все особенности нового типа памяти. Из уже опубликованной информации SK Hynix мы знаем, что максимальная скорость передачи данных GDDR6 составляет 16 Гтрансферов/с, что намекает на предварительную выборку (prefetch) 16 n и более высокие базовые тактовые частоты. Кроме того известно, что одна из первых графических карт на базе GDDR6 будет иметь 384-разрядную подсистему памяти, а если предположить, что скорость интерфейса составит 14 Гтрансферов/с, то адаптер будет обладать пропускной способностью памяти в 672 Гбайт/с. Впрочем, стоит иметь в виду, что разработчики GPU и производители графических карт довольно консервативны в отношении частот памяти, поэтому пропускная способность упомянутого адаптера может быть ниже, в зависимости от выхода годных GPU, памяти и самих карт.

Помимо памяти GDDR6, в четвёртом квартале SK Hynix также выпустит 8-Гбит микросхемы GDDR5 со скоростью передачи данных в 9 и 10 Гтрансферов/с при напряжении питания 1,55 В. Новые устройства будут ориентированы на графические решения для массового рынка, которым требуется высокая пропускная способность, а также экономическая эффективность GDDR5. В дополнение к сверхбыстрым микросхемам GDDR5, SK Hynix также предложит новые чипы со скоростями передачи данных в 7 и 8 Гтрансферов/с с пониженными напряжениями питания. Само по себе включение новых микросхем в перспективный план SK Hynix указывает на то, что GDDR5 останется на рынке ещё как минимум на пару лет, отметив в следующем году десятилетие на рынке.

Интересно отметить, что если микросхемы GDDR5 стали быстрее, то HBM2 — наоборот, медленнее. Так, ещё в первом квартале SK Hynix убрала всякие упоминания о памяти HBM2 со скоростью передачи данных 2 Гтрансфера/с. В данный момент SK Hynix предлагает одну единственную модель HBM2 — 4-Гбайт модули со скоростью передачи данных 1,6 Гтрансферов/с. Причины, по которым более быстрые микросхемы памяти были убраны из каталога, доподлинно неизвестны, но логично предположить, что массовое производство весьма сложных устройств памяти HBM2 с 512-разрядным интерфейсом и высокими тактовыми частотами является непростой задачей. Судя по всему, SK Hynix испытывает определённые трудности с изготовлением подобных сборок вследствие невысокого выхода годных и/или высоких температур HBM2 на повышенных частотах.

Спецификации выходящих вскоре микросхем SK Hynix типа HBM2
Артикул	Тип	Ёмкость	Скорость передачи данных	Пропускная способность микросхемы	Напряжение питания	Упаковка	Время доступности
H5VR32ESM4H-12C	HBM2	4 Гбайт	1,6 Гтрансферов/с	204 Гбайт/с	1,2 В	4Hi Stack	Q2 2017

Как следствие, для выходящей вскоре карты AMD Radeon RX Vega, SK сможет предложить лишь микросхемы HBM2 со скоростью передачи данных 1,6 Гтрансферов/с и пропускной способностью 204,8 Гбайт/с.