Qualcomm разрабатывает SoC Snapdragon 635/635 Plus и Snapdragon 670- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Qualcomm разрабатывает SoC Snapdragon 635/635 Plus и Snapdragon 670

Новости

Qualcomm разрабатывает SoC Snapdragon 635/635 Plus и Snapdragon 670
17.09.2017, 14:27:21 
 
p>Компания Qualcomm намерена осуществить плановое обновление своих SoC и выпустить три свежих мобильных процессора среднего уровня. Речь идёт о чипе Snapdragon 635 и его «разогнанной» версии Snapdragon 635 Plus, а также модели Snapdragon 670. Появление указанных SoC от Qualcomm стоит ожидать в I–II квартале 2018 года. 

Чип Snapdragon 635 призван устранить существующий разрыв в показателях быстродействия между SoC Snapdragon 660 и Snapdragon 630, став золотой серединой между ними. Snapdragon 635, если верить инсайдерским сводкам, выполнят по 14-нм технологическому процессу FinFET LPP.

droidholic.com

Qualcomm Snapdragon 635 будет содержать 4 высокопроизводительных ядра Cortex A73 и 4 энергоэффективных Cortex A55. Новый графический процессор обеспечит прирост мощности в сравнении с видеоускорителем Adreno 506 своего предшественника на 20 %. Не слишком впечатляющие результаты с учётом 30-процентного «GPU-буста» при переходе со Snapdragon 625 на 630. 

Что до версии Snapdragon 635 Plus, то она будет отличаться от базовой модели без плюса в названии лишь повышенными тактовыми частотами.

Близкие к делам американского производителя источники утверждают, что Qualcomm намерена презентовать в начале 2018 года и SoC Snapdragon 670 — первый 10-нм чип среди процессоров шестой серии. Базироваться он предположительно будет на ядрах Kryo 360. 

Анонс смартфонов среднего уровня с чипами Snapdragon 635/Snapdragon 635 Plus и Snapdragon 670 не задержится: мобильные устройства с перечисленным SoC дебютируют в первой половине 2018 года. 


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: