p>Это не новость из прошлого. Это суровая реальность, о которую разбились планы развития полупроводникового производства компании GlobalFoundries. В августе компания сообщила об остановке перехода на 7-нм техпроцесс и о заморозке на своих заводах техпроцессов на уровне 12/14 нм. В таких условиях не остаётся ничего другого, как улучшать далеко не новые, но пока ещё интересные для решения ряда задач техпроцессы.

Так, свежим пресс-релизом GlobalFoundries сообщила, что на своём заводе Fab 10 в Ист-Фишкилл для выпуска чипов на 300-мм кремниевых пластинах она квалифицировала новый техпроцесс под кодовым именем 8SW. Под этим именем скрывается техпроцесс с нормами 130 нм, о чём компания, очевидно из скромности, решила не упоминать. В то же время для производства с техпроцессом 8SW используются не обычные монолитные кремниевые пластины, а пластины с дополнительным изолирующим слоем или SOI.

В общем случае новый техпроцесс называется 8SW RF SOI и предназначен для производства радиочастотных чипов и радиочастотных компонентов для узлов и модемов сотовой связи или для других высокочастотных устройств. Новый техпроцесс позволит клиентам компании выпускать решения для сотовой связи пятого поколения, для вещей с подключением к Интернету и многое другое. Ранее для этой цели GlobalFoundries предлагала гибридный 180/130-нм техпроцесс 7SW, который был внедрён ещё в бытность завода Fab 10 собственностью компании IBM в 2014 году. Переход на 130-нм техпроцесс 8SW RF SOI обеспечит уменьшение площади кристаллов на 20 % и снижение потребления на 70 %.

За всё время использования пластин SOI для выпуска радиочастотных компонентов с 2007 года компания IBM, а затем и GlobalFoundries выпустили в общей сложности 40 млрд чипов. Следует ожидать, что повсеместный переход на беспроводную связь от датчиков IoT до автомобилей и традиционных систем связи легко удвоит эту цифру за пять лет или даже быстрее. Для этих решений не нужен 7-нм техпроцесс и более мелкие техпроцессы. Техпроцесса с нормами 130 нм хватит за глаза.

Источник: 3DNews