p>Компания Samsung вовсю использует преимущество первопроходца полупроводниковой литографии с применением сканеров диапазона EUV. Пока TSMC готовится начать использовать сканеры с длиной волны 13,5 нм в июне, адаптировав их для выпуска чипов в рамках второго поколения техпроцесса с нормами 7 нм, Samsung погружается глубже и заявляет о завершении разработки техпроцесса с проектными нормами 5 нм. Более того, южнокорейский гигант объявил о начале приёма заказов на выпуск 5-нм решений для производства на мультипроектных пластинах. Это означает, что Samsung готова принимать цифровые проекты чипов с нормами 5 нм и выпускать опытные партии рабочего 5-нм кремния.

Быстро перейти от предложения 7-нм техпроцесса с EUV на производство 5-нм решений также с EUV компании помогло то обстоятельство, что Samsung сохранила совместимость проектных элементов (IP), инструментов проектирования и контроля. Кроме прочего это означает, что клиенты компании сэкономят средства на приобретение средств проектирования, тестирования и готовых IP-блоков. Наборы PDK для проектирования, методология (DM, design methodologies) и платформы автоматического проектирования EDA стали доступны ещё в рамках разработки чипов для 7-нм норм Samsung с EUV в четвёртом квартале прошлого года. Все эти инструменты обеспечат разработку цифровых проектов также для техпроцесса 5 нм с транзисторами FinFET.

По сравнению с 7-нм техпроцессом с использованием сканеров EUV, который компания запустила в октябре прошлого года, техпроцесс с нормами 5 нм обеспечит увеличение эффективности использования площади кристалла на 25 % (Samsung избегает прямых заявлений о снижении размеров площади кристалл на 25 %, что оставляет ей пространство для манёвра цифрами). Также переход на 5-нм техпроцесс позволит либо снизить на 20 % потребление чипов, либо повысить на 10 % производительность решений. Ещё одним бонусом станет сокращение числа фотомасок, которые необходимы для производства полупроводников.

Выпуском продукции с использованием сканеров EUV компания Samsung занимается на заводе S3 в городе Хвасон. Во второй половине текущего года компания завершит строительство нового производства рядом с Fab S3, которое будет готово выпускать чипы с использованием EUV-техпроцессов в следующем году.

Источник: 3DNews