p>Весной стало известно, что компания Samsung прекращает производство своих популярных чипов DDR4-памяти B-die. Они выпускались по устаревшему 20-нм техпроцессу, поэтому южнокорейская компания захотела заменить их на новые микросхемы M-die и A-die, производимые с применением более «тонких» литографических норм. И хотя чипы B-die пока ещё не окончательно ушли с рынка, в продажу постепенно начинают поступать модули памяти, построенные на микросхемах Samsung нового поколения. Первые модули на чипах M-die добрались до розницы в июне, а на днях в продаже была замечена память, где применяются наиболее прогрессивные на данный момент микросхемы Samsung A-die.

Модули DDR4-памяти, в основе которых используются чипы Samsung B-die, особенно популярны среди энтузиастов за свой высокий частотный потенциал и хорошие возможности разгона при увеличении напряжения питания. По этой причине на таких чипах основывается подавляющее число оверклокерских комплектов памяти. Однако те модули на базе чипов Samsung B-die, которые всё ещё поставляются на рынок в настоящее время, изготавливаются из складских остатков, поскольку выпуск чипов DDR4 по 20-нм техпроцессу Samsung прекратила в первом квартале этого года.

На смену им рано или поздно придут более новые микросхемы. Для производства чипов памяти M-die компания Samsung применяет техпроцесс класса 1y-нм (второго поколения), в то время как в производстве микросхем A-die используется ещё более современная технология с литографическими нормами класса 1z-нм (третьего поколения). Дополнительным преимуществом новых чипов выступает их увеличенная ёмкость, достигающая 16 Гбит. Это позволяет выпускать на их основе односторонние модули памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние — ёмкостью 32 Гбайт, что с использованием микросхем B-die было попросту невозможно.

Первые модули с наиболее современными микросхемами A-die, которые появились в европейской рознице — Samsung M378A4G43AB2-CVF. Это — произведённые самой Samsung обычные небуферизованные модули ёмкостью 32 Гбайт, ориентированные на режим DDR4-2933 с таймингами 21-21-21 и рабочим напряжением 1,2 В. Однако нужно иметь в виду, что такие достаточно высокие задержки соответствуют спецификации JEDEC и не отражают разгонных возможностей модулей.

Например, 32-гигабайтные модули памяти Samsung M378A4G43MB1-CTD, которые основываются на чипах M-die и появились в продаже тремя месяцами ранее, при номинальной частоте DDR4-2666 и таймингах 19-19-19 легко разгоняются до состояния DDR4-3600. Вполне логично предположить, что более совершенные модули Samsung M378A4G43AB2-CVF будут разгоняться как минимум не хуже.

Модули памяти Samsung M378A4G43AB2-CVF на чипах A-die объёмом 32 Гбайт доступны в Европе по цене порядка €135 без учёта НДС.

Источник: 3DNews