Вчера на торжественном собрании в штаб-квартире китайской компании Jiangsu Advanced Memory Technology было объявлено, что этот производитель микросхем стал вторым в мире после компании Intel, кто смог запустить массовое производство чипов памяти на эффекте изменения фазового состояния вещества. Звучит невероятно громко, но речь идёт всего лишь о выпуске микросхем EEPROM для промышленности и электронной индустрии. Тем не менее, в основе ячеек памяти EEPROM компании AMT действительно лежит эффект изменяемого фазового состояния вещества.

Использование памяти PCM в перезаписываемых чипах EEPROM позволило увеличить число циклов стирания со 100 000 в случае NOR-флеш до 10 млн для PCM. Время удержания информации в ячейках не менее 100 лет при температуре 25 °C. Чипы выпускаются с использованием 40-нм техпроцесса. Объёмы не уточняются, но завод, который начал работать в этом году, имеет проектную мощность 100 тыс. 300-мм пластин в месяц. Даже если предприятие AMT задействовало менее трети мощностей, она действительно может считаться крупнейшим в мире после Intel (Micron) производителем памяти PCM.

Источник: 3DNews