Силовые полупроводники поднимаются на ступеньку выше. Вместо кремния в дело идёт нитрид галлия (GaN). Инверторы и блоки питания на GaN-транзисторах работают с КПД до 99 %, обеспечивая высочайшую эффективность энергетических систем от электростанций до систем хранения и использования электричества. Лидерами нового рынка являются компании из США, Европы и Японии. Теперь в эту область вошла первая компания из Китая.

Сравнение быстрых 60-Вт зарядок Apple (большая) и китайской ROCK (меньшего размера)

На днях китайский производитель гаджетов компания ROCK выпустила первое зарядное устройство с поддержкой быстрой зарядки на «китайском чипе». В основе обычного, в общем-то, решения лежит GaN силовая сборка серии InnoGaN компании Inno Science. Чип выполнен в стандартном для компактных блоков питания формфакторе DFN 8x8.

Зарядка ROCK 2C1AGaN мощностью 65 Вт компактнее и более функциональная, чем зарядное устройство Apple 61W PD (сравнение выше на фото). Китайская зарядка может одновременно заряжать три устройства по двум интерфейсам USB Type-C и одному USB Type-A. В будущем ROCK на китайских GaN-сборках планирует выпустить версии быстрых зарядок мощностью 100 и 120 Вт. Кроме неё с производителем силовых GaN-элементов компанией Inno Science сотрудничают ещё около 10 китайских производителей зарядных устройств и блоков питания.

Пример силовой сборки в упаковке DFN 8x8

Источник: 3DNews