p>В календаре Micron фискальный квартал завершился 28 мая, компания рассказала на отчётном мероприятии, какие технологические вехи преодолела в разгар пандемии. Образцы памяти класса HBM начали поступать к клиентам, производство оперативной памяти перешло на техпроцесс 1z нм, стартовали поставки 128-слойной NAND с замещающим затвором.

Долгое время Micron Technology со стороны наблюдала за выпуском памяти типа HBM корейскими конкурентами, но теперь и она перешла от разработки памяти данного класса к поставкам образцов клиентам. Подчёркивается, что HBM в исполнении Micron способна составить конкуренцию передовым продуктам, присутствующим на рынке, поэтому чисто технически наверняка уместно говорить о микросхемах типа HBM2 или даже HBM2e. Имена клиентов, получающих образцы этой памяти, Micron не называет, но подчёркивает, что с её помощью будут создаваться решения для систем искусственного интеллекта.

В сфере производства оперативной памяти Micron удалось технологически продвинуться до литографии ступени 1z нм. Фактически, это соответствует примерно 13-нм техпроцессу изготовления, и он является самым продвинутым в сегменте DRAM. Пока клиенты получают только образцы соответствующих микросхем, но Micron говорит о переводе на техпроцессы 1z и 1y нм до половины всего объёма выпускаемой DRAM. В следующем фискальном году, который наступит у Micron этой календарной осенью, компания рассчитывает начать выпуск памяти по техпроцессу 1α нм. Уже начались поставки микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 1z нм.

В минувшем квартале было налажено массовое производство 128-слойной памяти NAND с замещающим затвором, о которой компания рассказывала ещё в сентябре прошлого года. Клиенты уже получают соответствующие микросхемы. Отмечается хороший прогресс в сфере освоения выпуска памяти NAND с замещающим затвором второго поколения, которая в будущем займёт заметную часть ассортимента продукции Micron. Подобная память первого поколения к концу текущего календарного года тоже существенно увеличит свою долю в производственной программе компании.

Память 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) теперь занимает более 10 % всего объёма выпускаемой твердотельной памяти Micron. Это способствует снижению производственных затрат, но в компании отдаёт себе отчёт в том, что память типа TLC ещё долго будет доминировать на рынке. Накопители на базе памяти типа QLC уже поставляются на потребительский рынок. В серверном сегменте они планомерно вытесняют жёсткие диски со скоростью вращения шпинделя 10 000 об/мин.

Накопители Micron с интерфейсом NVMe расширяют свой ассортимент, они уже предлагаются в потребительском секторе. В мае были представлены твердотельные накопители потребительского класса на базе памяти TLC и QLC соответственно. Оба типа накопителей используют 96-слойную память 3D NAND.