В прошлом году тайваньская компания TSMC начала массивные инвестиции в разработку 2-нм техпроцесса. На тот момент не было никакой ясности в вопросах перехода на 2-нм технологические нормы, но к сегодняшнему дню многое прояснилось. По слухам, компания раскроет официальные планы по освоению 2-нм норм на ближайшей конференции, а пока познакомимся с предварительной информацией.

Как утверждают тайваньские источники, при переходе на 2-нм техпроцесс компания TSMC поменяет структуру транзистора. Вместо вертикальных рёбер-плавников FinFET, которые она по меркантильным соображениям решила сохранить для 3-нм техпроцесса, 2-нм транзисторы получат всеохватывающий или кольцевой затвор (GAA), который будет опоясывать канал со всех сторон. В случае FinFET, напомним, затвор охватывал транзисторный канал лишь с трёх сторон, поэтому кольцевой затвор GAA должен улучшить токовые характеристики мельчающих транзисторов.

Рисковое производство чипов с нормами 2 нм компания начнёт в 2023 году, что произойдёт через год после начала массового выпуска 3-нм полупроводников. К массовому производству 2-нм решений TSMC приступит в 2024 году. На этом рубеже она рассчитывает по совершенству технологий выпуска чипов наконец-то обойти конкурента — компанию Samsung.

Что касается Samsung, то она сосредоточилась на разработке и внедрению 3-нм техпроцесса. Существует высокая вероятность того, что южнокорейская компания на первых порах пропустит производство с нормами 4 нм, которые значились в её ранних планах. Одно время Samsung даже планировала начать выпуск GAA-транзисторов в рамках 4-нм техпроцесса, но позже перенесла этот пункт на этап внедрения 3-нм технологических норм.

Источник: 3DNews