p>Компания ARM сообщила о создании новой компании — Cerfe Labs, которой передала патенты, активы и специалистов для разработки и лицензирования энергонезависимой памяти CeRAM. Память CeRAM представляет собой разновидность резистивной памяти и обещает стать новой «флеш-памятью» с выдающимися характеристиками.

Компании Cerfe Labs переданы 150 семейств патентов, имеющих отношение к памяти CeRAM. Возглавил Cerfe Labs Эрик Хенненхофер (Eric Hennenhoefer), а её техническим директором стал Грег Йерик (Greg Yeric) — оба ветераны исследовательского отдела ARM и оба последние годы работали над технологиями CeRAM и другими новыми технологиями памяти.

Следует сказать, что изобретателем памяти CeRAM считается компания Symetrix Corporation, с которой ARM начала вести совместные разработки по этой теме шесть лет назад. Собственно, Cerfe Labs возложит на свои плечи груз дальнейшего партнёрства с Symetrix, а ближайшей целью Cerfe Labs значится создание прототипов памяти CeRAM и лицензирование технологии заинтересованным компаниям.

Также компания Cerfe Labs продолжит совместные исследования ARM и Symetrix в области сегнетоэлектрической памяти (сегнетоэлектрических транзисторов, FeFET), также придуманных в Symetrix. Оба новых типа памяти, что важно, поддерживаются программой DARPA (Агентство перспективных исследований МО США орган МО США) по возрождению электронной промышленности США (ERI FRANC). В рамках программы ARM и Symetrix изучили перспективные материалы для новой памяти и провели ряд обнадёживающих экспериментов по созданию MLC-ячеек на новой памяти.

В заключение поясним, что память CeRAM представляет собой более стабильный вариант резистивной памяти со всеми вытекающими последствиями: низкими задержками, высокой скоростью переключения, надёжностью, устойчивостью к износу и так далее. Но главное, что резистивные переходы (ячейки) CeRAM ведут себя более предсказуемо (как утверждают разработчики), чем ячейки ReRAM на основе проводящих ионных нитей и подобных.

Интересно добавить, что память CeRAM эксплуатирует явления в кристальной решётке материалов, которые раньше не принимались в расчёт. А именно — корреляцию электронов или, если проще, туннельные эффекты (переходы) электронов от одного атома материала к другому (проводимость) на основе взаимного влияния электронов, а не под действием кулоновского отталкивания или перескока, как принято считать в теории твёрдого тела.

Интересно будет узнать характеристики прототипа. И это дело явно недалёкого будущего, раз дело дошло до создания отдельной компании.